litho工艺流程？

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光刻胶怎么去除

提问时间:2022-10-01 15:06:06

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葛宇晗

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半导体制造技术需要在半导体结构上进行多种不同的物理和化学工艺，光刻(Litho)制程则是半导体制造技术最重要的制程之一。在整个集成电路的制造过程当中可能需要进行多次光刻工艺，因此光刻胶涂布不理想也会经常发生，例如涂胶失败，造成光刻胶层残留缺陷或均匀性差，或者线宽和上下层对准层存在较大误差等，这时就需要对半导体结构的表面进行返工(rework)。

发明人发现，现有的半导体结构表面处理过程中所采用的方式虽然能去除掉光刻胶层残留，但也会对半导体结构表面带来损伤，使半导体结构表面被腐蚀，造成膜层表面形貌粗糙，悬键大量增加，致使一些细小颗粒物或气体等吸附在半导体结构表面，为后续制程引入杂质或造成空穴缺陷等。同时，现有的半导体结构表面处理也往往会使半导体结构表面产生大量亲水基团如-OH，使半导体结构表面由疏水性变化为亲水性，导致之后涂布的光刻胶与半导体结构表面的附着力不佳，影响最终图形的形成和精度大小。

因此，如何更好的完成半导体结构表面处理是本领域技术人员需要解决的问题。

2022-10-01 17:28:08

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