芯片如何分层刻蚀？

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如何把硅刻蚀掉

提问时间:2022-09-24 10:40:01

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回答 | 共2个

周旭

从业2年

专利无效宣告商标初审维权

所在地区:广州市

咨询解答:146

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芯片一般通过涂膜、物理化学气象沉积等方法分层刻蚀。

晶圆厂商使用4种最基本的工艺方法，通过大量的工艺顺序和工艺变化制造出特定的芯片。这些最基本的工艺方法是增层、光刻、掺杂和热处理。比如生长二氧化硅膜和淀积不同种材料的薄膜。通用的淀积技术是物理气相淀积（PVD），化学气相淀积（CVD）、蒸发和溅射，由此形成不同分层。

2022-09-24 11:42:04

杨鑫

从业11年

税务报到税控代办税控托管

所在地区:长沙市

咨询解答:318

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1、湿法化学刻蚀

我们先来看下湿法化学腐蚀的示意图：

湿法化学刻蚀的机理主要包括三个阶段：反应物通过扩散到反应物表面，化学反应在表面上进行，然后通过扩散将反应生成物从表面移除。

腐蚀液的搅拌和温度将会影响腐蚀速率，在集成电路工艺中，大多是湿法化学刻蚀是将硅片浸入化学溶剂或向硅片上喷洒刻蚀溶剂。对于浸入式刻蚀，是将硅片进入化学溶剂，通过需求搅拌来保证刻蚀过程以一致或者恒定的速率进行；喷洒式刻蚀通过不断向硅片表面提供新的刻蚀剂来极大地增加刻蚀速率和一致性，喷洒式较浸入式会更好一点。

湿法化学刻蚀较为适用于多晶硅、氧化物、氮化物、金属和Ⅲ-Ⅴ族化合物地表面刻蚀。

2、干法刻蚀

湿法化学刻蚀在进行图形转移的最大缺点是掩模下会出现横向钻蚀，导致刻蚀后图形的分辨率下降。为了达到较大规模集成电路的工艺要求的高精度光刻胶抗蚀剂的图形转移，干法刻蚀得到快速发展。

干法刻蚀法包括等离子体刻蚀、反应离子刻蚀、溅射刻蚀、磁增强反应离子刻蚀、反应离子束刻蚀、高密度等离子体刻蚀等。

2022-09-24 13:34:03

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